Name: TPH2900ENH,L1Q
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage
SKU: TPH2900ENHL1QTR-ND
Price: 3.63 EUR
Availability: InStock

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TPH2900ENH,L1Q
Numéro de produit DigiKey	TPH2900ENHL1QTR-ND - Bande et bobine TPH2900ENHL1QCT-ND - Bande coupée (CT) TPH2900ENHL1QDKR-ND - Digi-Reel®
Fabricant	Toshiba Semiconductor and Storage
Numéro de produit du fabricant	TPH2900ENH,L1Q
Description	MOSFET N-CH 200V 33A 8SOP
Délai d'approvisionnement standard du fabricant	24 semaines
Référence client
Description détaillée	Canal N 200 V 33 A (Ta) 78W (Tc) Montage en surface 8-SOP Advance (5x5)
Fiche technique	Fiche technique
Modèles EDA/CAO	TPH2900ENH,L1Q Modèles

Attributs du produit

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Catégorie Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET FET, MOSFET simples	Vgs(th) (max.) à Id 4V à 1mA
Fabricant Toshiba Semiconductor and Storage	Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 22 nC @ 10 V
Série U-MOSVIII-H	Vgs (max.) ±20V
Conditionnement Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®	Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 2200 pF @ 100 V
Statut du composant Actif	Dissipation de puissance (max.) 78W (Tc)
Type de FET Canal N	Température de fonctionnement 150°C (TJ)
Technologies MOSFET (oxyde métallique)	Type de montage Montage en surface
Tension drain-source (Vdss) 200 V	Boîtier fournisseur 8-SOP Advance (5x5)
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 33 A (Ta)	Boîtier 8-PowerVDFN
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) 10V	Numéro de produit de base TPH2900
Rds On (max.) à Id, Vgs 29mohms à 16,5A, 10V