Name: TK14G65W,RQ
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage
SKU: TK14G65WRQTR-ND
Price: 4.1019 EUR
Availability: InStock

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TK14G65W,RQ
Numéro de produit DigiKey	TK14G65WRQTR-ND - Bande et bobine TK14G65WRQCT-ND - Bande coupée (CT) TK14G65WRQDKR-ND - Digi-Reel®
Fabricant	Toshiba Semiconductor and Storage
Numéro de produit du fabricant	TK14G65W,RQ
Description	MOSFET N-CH 650V 13.7A D2PAK
Délai d'approvisionnement standard du fabricant	16 semaines
Référence client
Description détaillée	Canal N 650 V 13,7 A (Ta) 130W (Tc) Montage en surface D2PAK
Fiche technique	Fiche technique
Modèles EDA/CAO	TK14G65W,RQ Modèles

Attributs du produit

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Catégorie Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET FET, MOSFET simples	Vgs(th) (max.) à Id 3,5V à 690µA
Fabricant Toshiba Semiconductor and Storage	Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 35 nC @ 10 V
Série DTMOSIV	Vgs (max.) ±30V
Conditionnement Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®	Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 1300 pF @ 300 V
Statut du composant Actif	Dissipation de puissance (max.) 130W (Tc)
Type de FET Canal N	Température de fonctionnement 150°C (TJ)
Technologies MOSFET (oxyde métallique)	Type de montage Montage en surface
Tension drain-source (Vdss) 650 V	Boîtier fournisseur D2PAK
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 13,7 A (Ta)	Boîtier TO-263-3, D2PAK (2 sorties + languette), TO-263AB
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) 10V	Numéro de produit de base TK14G65
Rds On (max.) à Id, Vgs 250mohms à 6.9A, 10V

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Documents et supports

Classifications environnementales et d'exportation

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Quantité

Tous les prix sont en EUR

Bande coupée (CT) & Digi-Reel®

* Toutes les commandes Digi-Reel entraînent des frais de bobinage de 5,50 €.

Bande et bobine

Conditionnement standard du fabricant

Prix unitaire sans TVA:	3,39000 €
Prix unitaire avec TVA:	4,10190 €

TK14G65W,RQ