Name: SSM6P15FU,LF
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage
SKU: SSM6P15FULFTR-ND
Price: 0.3509 EUR
Availability: InStock

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SSM6P15FU,LF
Numéro de produit DigiKey	SSM6P15FULFTR-ND - Bande et bobine SSM6P15FULFCT-ND - Bande coupée (CT) SSM6P15FULFDKR-ND - Digi-Reel®
Fabricant	Toshiba Semiconductor and Storage
Numéro de produit du fabricant	SSM6P15FU,LF
Description	MOSFET 2P-CH 30V 0.1A US6
Délai d'approvisionnement standard du fabricant	16 semaines
Référence client
Description détaillée	MOSFET - Matrices 30V 100mA 200mW (Ta) Montage en surface US6
Fiche technique	Fiche technique
Modèles EDA/CAO	SSM6P15FU,LF Modèles

Attributs du produit

Type	Description	Tout sélectionner
Catégorie	Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET Matrices de FET, MOSFET
Fabricant	Toshiba Semiconductor and Storage
Série	-
Conditionnement	Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®
Statut du composant	Actif
Technologies	MOSFET (oxyde métallique)
Configuration	2 canaux P (double)
Fonction FET	-
Tension drain-source (Vdss)	30V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C	100mA
Rds On (max.) à Id, Vgs	12ohms à 10mA, 4V
Vgs(th) (max.) à Id	1,7V à 100µA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs	-
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds	9,1pF à 3V
Puissance - Max.	200mW (Ta)
Température de fonctionnement	150°C
Type de montage	Montage en surface
Boîtier	6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Boîtier fournisseur	US6
Numéro de produit de base	SSM6P15

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