Name: SSM6N56FE,LM
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage
SKU: SSM6N56FELMTR-ND
Price: 0.4235 EUR
Availability: InStock

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SSM6N56FE,LM
Numéro de produit DigiKey	SSM6N56FELMTR-ND - Bande et bobine SSM6N56FELMCT-ND - Bande coupée (CT) SSM6N56FELMDKR-ND - Digi-Reel®
Fabricant	Toshiba Semiconductor and Storage
Numéro de produit du fabricant	SSM6N56FE,LM
Description	MOSFET 2N-CH 20V 0.8A ES6
Délai d'approvisionnement standard du fabricant	12 semaines
Référence client
Description détaillée	MOSFET - Matrices 20V 800mA 150mW Montage en surface ES6
Fiche technique	Fiche technique
Modèles EDA/CAO	SSM6N56FE,LM Modèles

Attributs du produit

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Catégorie Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET Matrices de FET, MOSFET	Vgs(th) (max.) à Id 1V à 1mA
Fabricant Toshiba Semiconductor and Storage	Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 1nC à 4,5V
Conditionnement Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®	Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 55pF à 10V
Statut du composant Actif	Puissance - Max. 150mW
Technologies MOSFET (oxyde métallique)	Température de fonctionnement 150°C (TJ)
Configuration 2 canaux N (double)	Type de montage Montage en surface
Fonction FET Porte de niveau logique, attaque 1,5V	Boîtier SOT-563, SOT-666
Tension drain-source (Vdss) 20V	Boîtier fournisseur ES6
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 800mA	Numéro de produit de base SSM6N56
Rds On (max.) à Id, Vgs 235mohms à 800mA, 4,5V

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Documents et supports

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