Name: SSM6N357R,LF
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage
SKU: SSM6N357RLFTR-ND
Price: 0.726 EUR
Availability: OutOfStock

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SSM6N357R,LF
Numéro de produit DigiKey	SSM6N357RLFTR-ND - Bande et bobine SSM6N357RLFCT-ND - Bande coupée (CT) SSM6N357RLFDKR-ND - Digi-Reel®
Fabricant	Toshiba Semiconductor and Storage
Numéro de produit du fabricant	SSM6N357R,LF
Description	MOSFET 2N-CH 60V 0.65A 6TSOPF
Délai d'approvisionnement standard du fabricant	16 semaines
Référence client
Description détaillée	MOSFET - Matrices 60V 650mA (Ta) 1,5W (Ta) Montage en surface 6-TSOP-F
Fiche technique	Fiche technique
Modèles EDA/CAO	SSM6N357R,LF Modèles

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Catégorie Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET Matrices de FET, MOSFET	Vgs(th) (max.) à Id 2V à 1mA
Fabricant Toshiba Semiconductor and Storage	Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 1,5nC à 5V
Conditionnement Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®	Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 60pF à 12V
Statut du composant Actif	Puissance - Max. 1,5W (Ta)
Technologies MOSFET (oxyde métallique)	Température de fonctionnement 150°C
Configuration 2 canaux N (double)	Type de montage Montage en surface
Tension drain-source (Vdss) 60V	Boîtier 6-SMD, sorties plates
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 650mA (Ta)	Boîtier fournisseur 6-TSOP-F
Rds On (max.) à Id, Vgs 1,8ohms à 150mA, 5V	Numéro de produit de base SSM6N357

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