Name: SSM6N16FE,L3F
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage
SKU: SSM6N16FEL3FTR-ND
Price: 0.363 EUR
Availability: InStock

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SSM6N16FE,L3F
Numéro de produit DigiKey	SSM6N16FEL3FTR-ND - Bande et bobine SSM6N16FEL3FCT-ND - Bande coupée (CT) SSM6N16FEL3FDKR-ND - Digi-Reel®
Fabricant	Toshiba Semiconductor and Storage
Numéro de produit du fabricant	SSM6N16FE,L3F
Description	MOSFET 2N-CH 20V 0.1A ES6
Délai d'approvisionnement standard du fabricant	12 semaines
Référence client
Description détaillée	MOSFET - Matrices 20V 100mA (Ta) 150mW (Ta) Montage en surface ES6
Fiche technique	Fiche technique
Modèles EDA/CAO	SSM6N16FE,L3F Modèles

Attributs du produit

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Catégorie Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET Matrices de FET, MOSFET	Vgs(th) (max.) à Id 1,1V à 100µA
Fabricant Toshiba Semiconductor and Storage	Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 9,3pF à 3V
Conditionnement Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®	Puissance - Max. 150mW (Ta)
Statut du composant Actif	Température de fonctionnement 150°C
Technologies MOSFET (oxyde métallique)	Type de montage Montage en surface
Configuration 2 canaux N (double)	Boîtier SOT-563, SOT-666
Tension drain-source (Vdss) 20V	Boîtier fournisseur ES6
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 100mA (Ta)	Numéro de produit de base SSM6N16
Rds On (max.) à Id, Vgs 3ohms à 10mA, 4V

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Documents et supports

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Quantité

Tous les prix sont en EUR

Bande coupée (CT) & Digi-Reel®

* Toutes les commandes Digi-Reel entraînent des frais de bobinage de 5,50 €.

Bande et bobine

Conditionnement standard du fabricant

Prix unitaire sans TVA:	0,30000 €
Prix unitaire avec TVA:	0,36300 €

SSM6N16FE,L3F