Name: SSM6J801R,LF
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage
SKU: SSM6J801RLFTR-ND
Price: 0.4598 EUR
Availability: InStock

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SSM6J801R,LF
Numéro de produit DigiKey	SSM6J801RLFTR-ND - Bande et bobine SSM6J801RLFCT-ND - Bande coupée (CT) SSM6J801RLFDKR-ND - Digi-Reel®
Fabricant	Toshiba Semiconductor and Storage
Numéro de produit du fabricant	SSM6J801R,LF
Description	MOSFET P-CH 20V 6A 6TSOP
Délai d'approvisionnement standard du fabricant	16 semaines
Référence client
Description détaillée	Canal P 20 V 6 A (Ta) 1,5W (Ta) Montage en surface 6-TSOP-F
Fiche technique	Fiche technique
Modèles EDA/CAO	SSM6J801R,LF Modèles

Attributs du produit

Type	Description	Tout sélectionner
Catégorie	Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET FET, MOSFET simples
Fabricant	Toshiba Semiconductor and Storage
Série	U-MOSVI
Conditionnement	Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®
Statut du composant	Actif
Type de FET	Canal P
Technologies	MOSFET (oxyde métallique)
Tension drain-source (Vdss)	20 V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C	6 A (Ta)
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.)	1,5V, 4,5V
Rds On (max.) à Id, Vgs	32,5mohms à 3A, 4,5V
Vgs(th) (max.) à Id	1V à 1mA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs	12.8 nC @ 4.5 V
Vgs (max.)	+6V, -8V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds	840 pF @ 10 V
Fonction FET	-
Dissipation de puissance (max.)	1,5W (Ta)
Température de fonctionnement	150°C (TJ)
Grade	-
Qualification	-
Type de montage	Montage en surface
Boîtier fournisseur	6-TSOP-F
Boîtier	6-SMD, sorties plates
Numéro de produit de base	SSM6J801

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