Name: SSM3K335R,LF
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage
SKU: SSM3K335RLFTR-ND
Price: 0.5203 EUR
Availability: InStock

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SSM3K335R,LF
Numéro de produit DigiKey	SSM3K335RLFTR-ND - Bande et bobine SSM3K335RLFCT-ND - Bande coupée (CT) SSM3K335RLFDKR-ND - Digi-Reel®
Fabricant	Toshiba Semiconductor and Storage
Numéro de produit du fabricant	SSM3K335R,LF
Description	MOSFET N CH 30V 6A SOT-23F
Délai d'approvisionnement standard du fabricant	16 semaines
Référence client
Description détaillée	Canal N 30 V 6 A (Ta) 1W (Ta) Montage en surface SOT-23F
Fiche technique	Fiche technique
Modèles EDA/CAO	SSM3K335R,LF Modèles

Attributs du produit

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Catégorie Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET FET, MOSFET simples	Vgs(th) (max.) à Id 2,5V à 100µA
Fabricant Toshiba Semiconductor and Storage	Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 2.7 nC @ 4.5 V
Série U-MOSVII-H	Vgs (max.) ±20V
Conditionnement Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®	Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 340 pF @ 15 V
Statut du composant Actif	Dissipation de puissance (max.) 1W (Ta)
Type de FET Canal N	Température de fonctionnement 150°C (TJ)
Technologies MOSFET (oxyde métallique)	Type de montage Montage en surface
Tension drain-source (Vdss) 30 V	Boîtier fournisseur SOT-23F
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 6 A (Ta)	Boîtier SOT-23-3 broches plates
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) 4,5V, 10V	Numéro de produit de base SSM3K335
Rds On (max.) à Id, Vgs 38mohms à 4A, 10V

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Documents et supports

Classifications environnementales et d'exportation

Ressources supplémentaires

Substituts (2)

Numéro de référence	Fabricant	Quantité disponible	Numéro de produit DigiKey	Prix unitaire	Type de substitution
PMV42ENER	Nexperia USA Inc.	1 217	1727-2706-1-ND	0,45000 €	Similaire
PMV50ENEAR	Nexperia USA Inc.	2	1727-2533-1-ND	0,45000 €	Similaire

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Quantité

Tous les prix sont en EUR

Bande coupée (CT) & Digi-Reel®

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