Name: SSM3K16FV,L3F
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage
SKU: 264-SSM3K16FVL3FTR-ND
Price: 0.1936 EUR
Availability: InStock

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SSM3K16FV,L3F
Numéro de produit DigiKey	264-SSM3K16FVL3FTR-ND - Bande et bobine 264-SSM3K16FVL3FCT-ND - Bande coupée (CT) 264-SSM3K16FVL3FDKR-ND - Digi-Reel®
Fabricant	Toshiba Semiconductor and Storage
Numéro de produit du fabricant	SSM3K16FV,L3F
Description	PB-F VESM S-MOS (LF) TRANSISTOR
Délai d'approvisionnement standard du fabricant	12 semaines
Référence client
Description détaillée	Canal N 20 V 100mA (Ta) 150mW (Ta) Montage en surface VESM
Fiche technique	Fiche technique

Attributs du produit

Type	Description	Tout sélectionner
Catégorie	Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET FET, MOSFET simples
Fabricant	Toshiba Semiconductor and Storage
Série	-
Conditionnement	Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®
Statut du composant	Actif
Type de FET	Canal N
Technologies	MOSFET (oxyde métallique)
Tension drain-source (Vdss)	20 V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C	100mA (Ta)
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.)	1,5V, 4V
Rds On (max.) à Id, Vgs	3ohms à 10mA, 4V
Vgs(th) (max.) à Id	1,1V à 100µA
Vgs (max.)	±10V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds	9.3 pF @ 3 V
Fonction FET	-
Dissipation de puissance (max.)	150mW (Ta)
Température de fonctionnement	150°C
Grade	-
Qualification	-
Type de montage	Montage en surface
Boîtier fournisseur	VESM
Boîtier	SOT-723

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