Name: CSD85312Q3E
Brand: Texas Instruments
SKU: 296-37187-2-ND
Price: 1.8876 EUR
Availability: InStock

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CSD85312Q3E
Numéro de produit DigiKey	296-37187-2-ND - Bande et bobine 296-37187-1-ND - Bande coupée (CT) 296-37187-6-ND - Digi-Reel®
Fabricant	Texas Instruments
Numéro de produit du fabricant	CSD85312Q3E
Description	MOSFET 2N-CH 20V 39A 8VSON
Délai d'approvisionnement standard du fabricant	12 semaines
Référence client
Description détaillée	MOSFET - Matrices 20V 39A 2,5W Montage en surface 8-VSON (3,3x3,3)
Fiche technique	Fiche technique
Modèles EDA/CAO	CSD85312Q3E Modèles

Attributs du produit

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Catégorie Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET Matrices de FET, MOSFET	Rds On (max.) à Id, Vgs 12,4mohms à 10A, 8V
Fabricant Texas Instruments	Vgs(th) (max.) à Id 1,4V à 250µA
Série NexFET™	Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 15,2nC à 4,5V
Conditionnement Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®	Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 2390pF à 10V
Statut du composant Actif	Puissance - Max. 2,5W
Technologies MOSFET (oxyde métallique)	Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration Source commune à 2 canaux N (double)	Type de montage Montage en surface
Fonction FET Porte de niveau logique, attaque 5V	Boîtier 8-PowerVDFN
Tension drain-source (Vdss) 20V	Boîtier fournisseur 8-VSON (3,3x3,3)
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 39A	Numéro de produit de base CSD85312

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Documents et supports

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