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STW58N65DM2AG | |
|---|---|
Numéro de produit DigiKey | 497-16137-5-ND |
Fabricant | |
Numéro de produit du fabricant | STW58N65DM2AG |
Description | MOSFET N-CH 650V 48A TO247 |
Délai d'approvisionnement standard du fabricant | 20 semaines |
Référence client | |
Description détaillée | Canal N 650 V 48 A (Tc) 360W (Tc) Trou traversant TO-247-3 |
Fiche technique | Fiche technique |
Modèles EDA/CAO | STW58N65DM2AG Modèles |
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Catégorie | Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 88 nC @ 10 V |
Fabricant | Vgs (max.) ±25V |
Série | Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 4100 pF @ 100 V |
Conditionnement Tube | Dissipation de puissance (max.) 360W (Tc) |
Statut du composant Actif | Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ) |
Type de FET | Grade Automobile |
Technologies | Qualification AEC-Q101 |
Tension drain-source (Vdss) 650 V | Type de montage Trou traversant |
Courant - Drain continu (Id) à 25°C | Boîtier fournisseur TO-247-3 |
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) 10V | Boîtier |
Rds On (max.) à Id, Vgs 65mohms à 24A, 10V | Numéro de produit de base |
Vgs(th) (max.) à Id 5V à 250µA |
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Substituts (9)
| Numéro de référence | Fabricant | Quantité disponible | Numéro de produit DigiKey | Prix unitaire | Type de substitution |
|---|---|---|---|---|---|
| IXFH60N65X2 | IXYS | 5 072 | 238-IXFH60N65X2-ND | 11,76000 € | Similaire |
| IXTH48N65X2 | IXYS | 450 | IXTH48N65X2-ND | 10,11000 € | Similaire |
| IXTH52N65X | IXYS | 0 | IXTH52N65X-ND | 7,51767 € | Similaire |
| IXTH62N65X2 | IXYS | 350 | IXTH62N65X2-ND | 11,50000 € | Similaire |
| SIHW47N60EF-GE3 | Vishay Siliconix | 460 | SIHW47N60EF-GE3-ND | 9,65000 € | Similaire |
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Quantité
Tous les prix sont en EUR
Tube
| Quantité | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 600 | 5,07453 € | 3 044,72 € |
| Prix unitaire sans TVA: | 5,07453 € |
|---|---|
| Prix unitaire avec TVA: | 6,14018 € |
