Name: STGSH50M120D
Brand: STMicroelectronics
SKU: 497-STGSH50M120DTR-ND
Price: 20.4127 EUR
Availability: InStock

Nouveau produit

L'image montrée ici est une simple représentation. Consultez la fiche technique pour obtenir les spécifications exactes de ce produit.

STGSH50M120D
Numéro de produit DigiKey	497-STGSH50M120DTR-ND - Bande et bobine 497-STGSH50M120DCT-ND - Bande coupée (CT) 497-STGSH50M120DDKR-ND - Digi-Reel®
Fabricant	STMicroelectronics
Numéro de produit du fabricant	STGSH50M120D
Description	IGBT H BRIDGE 1200V 69A 9PWR SMD
Délai d'approvisionnement standard du fabricant	15 semaines
Référence client
Description détaillée	IGBT Groupement Demi- pont 1200 V 69 A 536 W Montage en surface 9-ACEPACK SMIT
Fiche technique	Fiche technique

Attributs du produit

Type	Description	Tout sélectionner
Catégorie	Produits semi-conducteurs discrets Transistors IGBT Matrices IGBT
Fabricant	STMicroelectronics
Série	-
Conditionnement	Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®
Statut du composant	Actif
Type d'IGBT	-
Configuration	Demi- pont
Tension - Claquage collecteur-émetteur (max.)	1200 V
Courant - Collecteur (Ic) (max.)	69 A
Puissance - Max.	536 W
Vce(on) (max.) à Vge, Ic	2,3V à 15V, 50A
Courant - Résiduel de collecteur (max.)	25 µA
Capacité d'entrée (Cies) à Vce	3152 pF @ 25 V
Entrée	Standard
Thermistance CTN	Non
Température de fonctionnement	-55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage	Montage en surface
Boîtier	9-PowerSMD
Boîtier fournisseur	9-ACEPACK SMIT