Canal N 650 V 4 A (Tc) 20W (Tc) Trou traversant TO-220FP
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STF6N65M2

Numéro de produit DigiKey
497-15035-5-ND
Fabricant
Numéro de produit du fabricant
STF6N65M2
Description
MOSFET N-CH 650V 4A TO220FP
Référence client
Description détaillée
Canal N 650 V 4 A (Tc) 20W (Tc) Trou traversant TO-220FP
Fiche technique
 Fiche technique
Modèles EDA/CAO
STF6N65M2 Modèles
Attributs du produit
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Catégorie
Vgs(th) (max.) à Id
4V à 250µA
Fabricant
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs
9.8 nC @ 10 V
Série
Vgs (max.)
±25V
Conditionnement
Tube
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds
226 pF @ 100 V
Statut du composant
Obsolète
Dissipation de puissance (max.)
20W (Tc)
Type de FET
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Technologies
Type de montage
Trou traversant
Tension drain-source (Vdss)
650 V
Boîtier fournisseur
TO-220FP
Courant - Drain continu (Id) à 25°C
Boîtier
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.)
10V
Numéro de produit de base
Rds On (max.) à Id, Vgs
1,35ohms à 2A, 10V
Classifications environnementales et d'exportation
Questions et réponses sur les produits
Ressources supplémentaires
Substituts (2)
Numéro de référenceFabricant Quantité disponibleNuméro de produit DigiKey Prix unitaire Type de substitution
STF11N65M2STMicroelectronics0497-15034-5-ND0,72745 €Recommandation fabricant
IPA80R1K4CEXKSA1Rochester Electronics, LLC1342156-IPA80R1K4CEXKSA1-IT-ND1,90381 €Similaire
En stock: 285
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