Canal N 600 V 3,7 A (Tc) 20W (Tc) Trou traversant TO-220FP
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STF5N60M2

Numéro de produit DigiKey
497-14273-5-ND
Fabricant
Numéro de produit du fabricant
STF5N60M2
Description
MOSFET N-CH 600V 3.7A TO220FP
Référence client
Description détaillée
Canal N 600 V 3,7 A (Tc) 20W (Tc) Trou traversant TO-220FP
Fiche technique
 Fiche technique
Modèles EDA/CAO
STF5N60M2 Modèles
Attributs du produit
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Catégorie
Vgs(th) (max.) à Id
4V à 250µA
Fabricant
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs
4.5 nC @ 10 V
Série
Vgs (max.)
±25V
Conditionnement
Tube
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds
165 pF @ 100 V
Statut du composant
Obsolète
Dissipation de puissance (max.)
20W (Tc)
Type de FET
Température de fonctionnement
150°C (TJ)
Technologies
Type de montage
Trou traversant
Tension drain-source (Vdss)
600 V
Boîtier fournisseur
TO-220FP
Courant - Drain continu (Id) à 25°C
Boîtier
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.)
10V
Numéro de produit de base
Rds On (max.) à Id, Vgs
1,4ohms à 1,85A, 10V
Classifications environnementales et d'exportation
Questions et réponses sur les produits
Ressources supplémentaires
Substituts (4)
Numéro de référenceFabricant Quantité disponibleNuméro de produit DigiKey Prix unitaire Type de substitution
STF7N60M2STMicroelectronics1 877497-13949-5-ND1,56000 €Recommandation fabricant
RJK6035DPP-A0#T2Renesas Electronics Corporation2 775RJK6035DPP-A0#T2-ND3,39000 €Similaire
TK5A65DA(STA4,Q,M)Toshiba Semiconductor and Storage14TK5A65DA(STA4QM)-ND2,11000 €Similaire
TK6A80E,S4XToshiba Semiconductor and Storage42TK6A80ES4X-ND2,80000 €Similaire
En stock: 1 959
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