Name: STD120N4LF6
Brand: STMicroelectronics
SKU: 497-11097-2-ND
Price: 3.0008 EUR
Availability: InStock

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STD120N4LF6
Numéro de produit DigiKey	497-11097-2-ND - Bande et bobine 497-11097-1-ND - Bande coupée (CT) 497-11097-6-ND - Digi-Reel®
Fabricant	STMicroelectronics
Numéro de produit du fabricant	STD120N4LF6
Description	MOSFET N-CH 40V 80A DPAK
Délai d'approvisionnement standard du fabricant	18 semaines
Référence client
Description détaillée	Canal N 40 V 80 A (Tc) 110W (Tc) Montage en surface DPAK
Fiche technique	Fiche technique
Modèles EDA/CAO	STD120N4LF6 Modèles

Attributs du produit

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Catégorie Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET FET, MOSFET simples	Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 80 nC @ 10 V
Fabricant STMicroelectronics	Vgs (max.) ±20V
Série DeepGATE™, STripFET™ VI	Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 4300 pF @ 25 V
Conditionnement Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®	Dissipation de puissance (max.) 110W (Tc)
Statut du composant Actif	Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ)
Type de FET Canal N	Grade Automobile
Technologies MOSFET (oxyde métallique)	Qualification AEC-Q101
Tension drain-source (Vdss) 40 V	Type de montage Montage en surface
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 80 A (Tc)	Boîtier fournisseur DPAK
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) 5V, 10V	Boîtier TO-252-3, DPAK (2 sorties + languette), SC-63
Rds On (max.) à Id, Vgs 4mohms à 40A, 10V	Numéro de produit de base STD120
Vgs(th) (max.) à Id 3V à 250µA