Name: STD11N50M2
Brand: STMicroelectronics
SKU: 497-STD11N50M2TR-ND
Price: 1.6577 EUR
Availability: InStock

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STD11N50M2
Numéro de produit DigiKey	497-STD11N50M2TR-ND - Bande et bobine 497-STD11N50M2CT-ND - Bande coupée (CT) 497-STD11N50M2DKR-ND - Digi-Reel®
Fabricant	STMicroelectronics
Numéro de produit du fabricant	STD11N50M2
Description	MOSFET N-CH 500V 8A DPAK
Délai d'approvisionnement standard du fabricant	18 semaines
Référence client
Description détaillée	Canal N 500 V 8 A (Tc) 85W (Tc) Montage en surface DPAK
Fiche technique	Fiche technique

Attributs du produit

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Catégorie Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET FET, MOSFET simples	Vgs(th) (max.) à Id 4V à 250µA
Fabricant STMicroelectronics	Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 12 nC @ 10 V
Série MDmesh™ II Plus	Vgs (max.) ±25V
Conditionnement Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®	Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 395 pF @ 100 V
Statut du composant Actif	Dissipation de puissance (max.) 85W (Tc)
Type de FET Canal N	Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
Technologies MOSFET (oxyde métallique)	Type de montage Montage en surface
Tension drain-source (Vdss) 500 V	Boîtier fournisseur DPAK
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 8 A (Tc)	Boîtier TO-252-3, DPAK (2 sorties + languette), SC-63
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) 10V	Numéro de produit de base STD11
Rds On (max.) à Id, Vgs 530mohms à 4A, 10V

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Documents et supports

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Ressources supplémentaires

Substituts (1)

Numéro de référence	Fabricant	Quantité disponible	Numéro de produit DigiKey	Prix unitaire	Type de substitution
RJK5033DPD-00#J2	Renesas Electronics Corporation	5 959	RJK5033DPD-00#J2CT-ND	2,76000 €	Similaire

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Bande coupée (CT) & Digi-Reel®

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Bande et bobine

Conditionnement standard du fabricant

Prix unitaire sans TVA:	1,37000 €
Prix unitaire avec TVA:	1,65770 €

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