Name: STB33N60DM6
Brand: STMicroelectronics
SKU: 497-STB33N60DM6TR-ND
Price: 7.0059 EUR
Availability: InStock

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STB33N60DM6
Numéro de produit DigiKey	497-STB33N60DM6TR-ND - Bande et bobine 497-STB33N60DM6CT-ND - Bande coupée (CT) 497-STB33N60DM6DKR-ND - Digi-Reel®
Fabricant	STMicroelectronics
Numéro de produit du fabricant	STB33N60DM6
Description	MOSFET N-CH 600V 25A D2PAK
Délai d'approvisionnement standard du fabricant	18 semaines
Référence client
Description détaillée	Canal N 600 V 25 A (Tc) 190W (Tc) Montage en surface TO-263 (D2PAK)
Fiche technique	Fiche technique
Modèles EDA/CAO	STB33N60DM6 Modèles

Attributs du produit

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Catégorie Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET FET, MOSFET simples	Vgs(th) (max.) à Id 4,75V à 250µA
Fabricant STMicroelectronics	Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 35 nC @ 10 V
Série MDmesh™ M6	Vgs (max.) ±25V
Conditionnement Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®	Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 1500 pF @ 100 V
Statut du composant Actif	Dissipation de puissance (max.) 190W (Tc)
Type de FET Canal N	Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
Technologies MOSFET (oxyde métallique)	Type de montage Montage en surface
Tension drain-source (Vdss) 600 V	Boîtier fournisseur TO-263 (D2PAK)
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 25 A (Tc)	Boîtier TO-263-3, D2PAK (2 sorties + languette), TO-263AB
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) 10V	Numéro de produit de base STB33
Rds On (max.) à Id, Vgs 128mohms à 12,5A, 10V