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A1P50S65M2
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A1P50S65M2-F
STMicroelectronics
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IGBT Module À tranchées à champ limité Inverseur triphasé 650 V 50 A 208 W Montage sur châssis ACEPACK™ 2
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IGBT Module À tranchées à champ limité Inverseur triphasé 650 V 50 A 208 W Montage sur châssis ACEPACK™ 2
Traction Inverter Power Stages in Electric Vehicles

A2C50S65M2-F

Numéro de produit DigiKey
A2C50S65M2-F-ND
Fabricant
STMicroelectronics
Numéro de produit du fabricant
A2C50S65M2-F
Description
IGBT MOD 650V 50A 208W ACEPACK 2
Délai d'approvisionnement standard du fabricant
99 semaines
Référence client
Description détaillée
IGBT Module À tranchées à champ limité Inverseur triphasé 650 V 50 A 208 W Montage sur châssis ACEPACK™ 2
Fiche technique
 Fiche technique
Modèles EDA/CAO
A2C50S65M2-F Modèles
Attributs du produit
Type
Description
Tout sélectionner
Catégorie
Fabricant
STMicroelectronics
Série
-
Conditionnement
Plateau
Statut du composant
Actif
Type d'IGBT
À tranchées à champ limité
Configuration
Inverseur triphasé
Tension - Claquage collecteur-émetteur (max.)
650 V
Courant - Collecteur (Ic) (max.)
50 A
Puissance - Max.
208 W
Vce(on) (max.) à Vge, Ic
2,3V à 15V, 50A
Courant - Résiduel de collecteur (max.)
100 µA
Capacité d'entrée (Cies) à Vce
4.15 nF @ 25 V
Entrée
Standard
Thermistance CTN
Oui
Température de fonctionnement
-40°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage
Montage sur châssis
Boîtier
Module
Boîtier fournisseur
ACEPACK™ 2
Numéro de produit de base
A2C50
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Disponible sur commande
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Quantité
Tous les prix sont en EUR
Plateau
Quantité Prix unitaire Prix total
1843,60556 €784,90 €
Conditionnement standard du fabricant
Note : En raison des services à valeur ajoutée de DigiKey, le type de conditionnement peut varier lorsque le produit est acheté à des quantités inférieures au conditionnement standard.
Prix unitaire sans TVA:43,60556 €
Prix unitaire avec TVA:52,76273 €