


S3M0016120B | |
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Numéro de produit DigiKey | 1655-S3M0016120B-ND |
Fabricant | |
Numéro de produit du fabricant | S3M0016120B |
Description | MOSFET SILICON CARBIDE SIC 1200V |
Délai d'approvisionnement standard du fabricant | 12 semaines |
Référence client | |
Description détaillée | Canal N 1200 V 106 A (Tc) 576W (Tc) Montage en surface TO-263-7 |
Fiche technique | Fiche technique |
Type | Description | Tout sélectionner |
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Catégorie | ||
Fabricant | ||
Série | - | |
Conditionnement | Tube | |
Statut du composant | Actif | |
Type de FET | ||
Technologies | ||
Tension drain-source (Vdss) | 1200 V | |
Courant - Drain continu (Id) à 25°C | ||
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) | 18V | |
Rds On (max.) à Id, Vgs | 23mohms à 75A, 18V | |
Vgs(th) (max.) à Id | 4V à 30mA | |
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs | 287 nC @ 18 V | |
Vgs (max.) | +22V, -8V | |
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds | 5251 pF @ 1000 V | |
Fonction FET | - | |
Dissipation de puissance (max.) | 576W (Tc) | |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 175°C (TJ) | |
Grade | - | |
Qualification | - | |
Type de montage | Montage en surface | |
Boîtier fournisseur | TO-263-7 | |
Boîtier |
| Quantité | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 1 | 14,81000 € | 14,81 € |
| 35 | 9,02257 € | 315,79 € |
| 105 | 8,05019 € | 845,27 € |
| 525 | 8,01202 € | 4 206,31 € |
| Prix unitaire sans TVA: | 14,81000 € |
|---|---|
| Prix unitaire avec TVA: | 17,92010 € |


