
S2M0160120D | |
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Numéro de produit DigiKey | 1655-S2M0160120D-ND |
Fabricant | |
Numéro de produit du fabricant | S2M0160120D |
Description | MOSFET SILICON CARBIDE SIC 1200V |
Délai d'approvisionnement standard du fabricant | 12 semaines |
Référence client | |
Description détaillée | Canal N 1200 V 17 A (Tc) 130W (Tc) Trou traversant TO-247AD |
Fiche technique | Fiche technique |
Catégorie | Vgs(th) (max.) à Id 4V à 2,5mA |
Fabricant | Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 26.5 nC @ 20 V |
Conditionnement Tube | Vgs (max.) +20V, -5V |
Statut du composant Actif | Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 513 pF @ 1000 V |
Type de FET | Dissipation de puissance (max.) 130W (Tc) |
Technologies | Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ) |
Tension drain-source (Vdss) 1200 V | Type de montage Trou traversant |
Courant - Drain continu (Id) à 25°C | Boîtier fournisseur TO-247AD |
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) 20V | Boîtier |
Rds On (max.) à Id, Vgs 196mohms à 10A, 20V |
| Quantité | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 1 | 4,74000 € | 4,74 € |
| 10 | 3,15500 € | 31,55 € |
| 300 | 1,97520 € | 592,56 € |
| 600 | 1,83497 € | 1 100,98 € |
| 1 200 | 1,71711 € | 2 060,53 € |
| 2 100 | 1,64679 € | 3 458,26 € |
| Prix unitaire sans TVA: | 4,74000 € |
|---|---|
| Prix unitaire avec TVA: | 5,73540 € |


