Name: SDS065J012S3-ISARH
Brand: Sanan Power Semiconductor
SKU: 1214-SDS065J012S3-ISARHTR-ND
Price: 4.6343 EUR
Availability: InStock

Diode 650 V 44A Montage en surface 4-DFN (8x8)

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SDS065J012S3-ISARH
Numéro de produit DigiKey	1214-SDS065J012S3-ISARHTR-ND - Bande et bobine 1214-SDS065J012S3-ISARHCT-ND - Bande coupée (CT) 1214-SDS065J012S3-ISARHDKR-ND - Digi-Reel®
Fabricant	Sanan Power Semiconductor
Numéro de produit du fabricant	SDS065J012S3-ISARH
Description	DIODE SIL CARBIDE 650V 44A 4DFN
Délai d'approvisionnement standard du fabricant	4 semaines
Référence client
Description détaillée	Diode 650 V 44A Montage en surface 4-DFN (8x8)
Fiche technique	Fiche technique

Attributs du produit

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Catégorie Produits semi-conducteurs discrets Diodes Redresseurs Diodes simples	Vitesse Temps de récupération nul > 500mA (Io)
Fabricant Sanan Power Semiconductor	Temps de recouvrement inverse (trr) 0 ns
Série Sanan DFN8	Courant - Fuite inverse à Vr 36 µA @ 650 V
Conditionnement Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®	Capacité à Vr, F 651pF à 0V, 1MHz
Statut du composant Actif	Type de montage Montage en surface
Technologies SiC (Silicon Carbide) Schottky	Boîtier 4-PowerVSFN
Tension - CC inverse (Vr) (max.) 650 V	Boîtier fournisseur 4-DFN (8x8)
Courant - Moyen redressé (Io) 44A	Température de fonctionnement - Jonction -55°C ~ 175°C
Tension - Directe (Vf) (max.) à If 1.5 V @ 12 A