Name: US6M2TR
Brand: Rohm Semiconductor
SKU: US6M2TR-ND
Price: 1.1011 EUR
Availability: InStock

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US6M2TR
Numéro de produit DigiKey	US6M2TR-ND - Bande et bobine US6M2CT-ND - Bande coupée (CT) US6M2DKR-ND - Digi-Reel®
Fabricant	Rohm Semiconductor
Numéro de produit du fabricant	US6M2TR
Description	MOSFET N/P-CH 30V/20V 1.5A TUMT6
Délai d'approvisionnement standard du fabricant	16 semaines
Référence client
Description détaillée	MOSFET - Matrices 30V, 20V 1,5A, 1A 1W Montage en surface TUMT6
Fiche technique	Fiche technique
Modèles EDA/CAO	US6M2TR Modèles

Attributs du produit

Type	Description	Tout sélectionner
Catégorie	Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET Matrices de FET, MOSFET
Fabricant	Rohm Semiconductor
Série	-
Conditionnement	Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®
Statut du composant	Actif
Technologies	MOSFET (oxyde métallique)
Configuration	Canaux N et P
Fonction FET	-
Tension drain-source (Vdss)	30V, 20V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C	1,5A, 1A
Rds On (max.) à Id, Vgs	240mohms à 1,5A, 4,5V
Vgs(th) (max.) à Id	1,5V à 1mA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs	2,2nC à 4,5V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds	80pF à 10V
Puissance - Max.	1W
Température de fonctionnement	150°C (TJ)
Type de montage	Montage en surface
Boîtier	6-SMD, sorties plates
Boîtier fournisseur	TUMT6
Numéro de produit de base	US6M2

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Quantité

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