Name: SH8M51GZETB
Brand: Rohm Semiconductor
SKU: SH8M51GZETBTR-ND
Price: 2.4563 EUR
Availability: InStock

L'image montrée ici est une simple représentation. Consultez la fiche technique pour obtenir les spécifications exactes de ce produit.

SH8M51GZETB
Numéro de produit DigiKey	SH8M51GZETBTR-ND - Bande et bobine SH8M51GZETBCT-ND - Bande coupée (CT) SH8M51GZETBDKR-ND - Digi-Reel®
Fabricant	Rohm Semiconductor
Numéro de produit du fabricant	SH8M51GZETB
Description	MOSFET N/P-CH 100V 3A 8SOP
Référence client
Description détaillée	MOSFET - Matrices 100V 3 A (Ta), 2,5 A (Ta) 1,4W (Ta) Montage en surface 8-SOP
Fiche technique	Fiche technique

Attributs du produit

Filtrer les produits similaires

Afficher les attributs vides

Catégorie Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET Matrices de FET, MOSFET	Vgs(th) (max.) à Id 2,5V à 1mA
Fabricant Rohm Semiconductor	Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 8,5nC à 5V, 12,5nC à 5V
Conditionnement Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®	Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 610pF à 25V, 1550pF à 25V
Statut du composant Pas pour les nouvelles conceptions	Puissance - Max. 1,4W (Ta)
Technologies MOSFET (oxyde métallique)	Température de fonctionnement 150°C (TJ)
Configuration Canaux N et P	Type de montage Montage en surface
Tension drain-source (Vdss) 100V	Boîtier 8-SOIC (szerokość 0,154po, 3,90mm)
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 3 A (Ta), 2,5 A (Ta)	Boîtier fournisseur 8-SOP
Rds On (max.) à Id, Vgs 170mohms à 3A, 10V, 290mohms à 2,5A, 10V	Numéro de produit de base SH8M51