Name: SH8K37GZETB
Brand: Rohm Semiconductor
SKU: SH8K37GZETBTR-ND
Price: 2.3958 EUR
Availability: InStock

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SH8K37GZETB
Numéro de produit DigiKey	SH8K37GZETBTR-ND - Bande et bobine SH8K37GZETBCT-ND - Bande coupée (CT) SH8K37GZETBDKR-ND - Digi-Reel®
Fabricant	Rohm Semiconductor
Numéro de produit du fabricant	SH8K37GZETB
Description	MOSFET 2N-CH 60V 5.5A 8SOP
Référence client
Description détaillée	MOSFET - Matrices 60V 5,5 A (Ta) 1,4W (Ta) Montage en surface 8-SOP
Fiche technique	Fiche technique

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Catégorie Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET Matrices de FET, MOSFET	Vgs(th) (max.) à Id 2,7V à 100µA
Fabricant Rohm Semiconductor	Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 9,7nC à 10V
Conditionnement Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®	Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 500pF à 30V
Statut du composant Pas pour les nouvelles conceptions	Puissance - Max. 1,4W (Ta)
Technologies MOSFET (oxyde métallique)	Température de fonctionnement 150°C (TJ)
Configuration 2 canaux N (double)	Type de montage Montage en surface
Tension drain-source (Vdss) 60V	Boîtier 8-SOIC (szerokość 0,154po, 3,90mm)
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 5,5 A (Ta)	Boîtier fournisseur 8-SOP
Rds On (max.) à Id, Vgs 46mohms à 5,5A, 10V	Numéro de produit de base SH8K37