Name: SH8J66TB1
Brand: Rohm Semiconductor
SKU: SH8J66TB1TR-ND
Price: 3.4485 EUR
Availability: InStock

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SH8J66TB1
Numéro de produit DigiKey	SH8J66TB1TR-ND - Bande et bobine SH8J66TB1CT-ND - Bande coupée (CT) SH8J66TB1DKR-ND - Digi-Reel®
Fabricant	Rohm Semiconductor
Numéro de produit du fabricant	SH8J66TB1
Description	MOSFET 2P-CH 30V 9A 8SOP
Délai d'approvisionnement standard du fabricant	18 semaines
Référence client
Description détaillée	MOSFET - Matrices 30V 9A 2W Montage en surface 8-SOP
Fiche technique	Fiche technique
Modèles EDA/CAO	SH8J66TB1 Modèles

Attributs du produit

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Catégorie Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET Matrices de FET, MOSFET	Vgs(th) (max.) à Id 2,5V à 1mA
Fabricant Rohm Semiconductor	Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 35nC à 5V
Conditionnement Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®	Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 3000pF à 10V
Statut du composant Actif	Puissance - Max. 2W
Technologies MOSFET (oxyde métallique)	Température de fonctionnement 150°C (TJ)
Configuration 2 canaux P (double)	Type de montage Montage en surface
Fonction FET Porte de niveau logique	Boîtier 8-SOIC (szerokość 0,154po, 3,90mm)
Tension drain-source (Vdss) 30V	Boîtier fournisseur 8-SOP
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 9A	Numéro de produit de base SH8J66
Rds On (max.) à Id, Vgs 18,5mohms à 9A, 10V