RGCL80TK60GC11
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RGCL80TK60GC11
ROHM 4-pin SiC Power MOSFETs | Digi-Key Daily
ROHM's SiC Power and Gate Driver Solutions

SCT2H12NZGC11

Numéro de produit DigiKey
SCT2H12NZGC11-ND
Fabricant
Numéro de produit du fabricant
SCT2H12NZGC11
Description
SICFET N-CH 1700V 3.7A TO3PFM
Délai d'approvisionnement standard du fabricant
27 semaines
Référence client
Description détaillée
Canal N 1700 V 3,7 A (Tc) 35W (Tc) Trou traversant TO-3PFM
Fiche technique
 Fiche technique
Attributs du produit
Type
Description
Tout sélectionner
Catégorie
Fabricant
Série
-
Conditionnement
Tube
Statut du composant
Actif
Type de FET
Technologies
Tension drain-source (Vdss)
1700 V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.)
18V
Rds On (max.) à Id, Vgs
1,5ohms à 1,1A, 18V
Vgs(th) (max.) à Id
4V à 900µA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs
14 nC @ 18 V
Vgs (max.)
+22V, -6V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds
184 pF @ 800 V
Fonction FET
-
Dissipation de puissance (max.)
35W (Tc)
Température de fonctionnement
175°C (TJ)
Grade
-
Qualification
-
Type de montage
Trou traversant
Boîtier fournisseur
TO-3PFM
Boîtier
Numéro de produit de base
Questions et réponses sur les produits

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Tous les prix sont en EUR
Tube
Quantité Prix unitaire Prix total
15,95000 €5,95 €
303,38133 €101,44 €
1203,23892 €388,67 €
Conditionnement standard du fabricant
Note : En raison des services à valeur ajoutée de DigiKey, le type de conditionnement peut varier lorsque le produit est acheté à des quantités inférieures au conditionnement standard.
Prix unitaire sans TVA:5,95000 €
Prix unitaire avec TVA:7,19950 €