SCT2750NYTB est obsolète et n'est plus fabriqué.
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Fiche technique
SCT2xxxNYTB
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SCT2xxxNYTB
ROHM 4-pin SiC Power MOSFETs | Digi-Key Daily
ROHM's SiC Power and Gate Driver Solutions

SCT2750NYTB

Numéro de produit DigiKey
SCT2750NYTBTR-ND - Bande et bobine
SCT2750NYTBCT-ND - Bande coupée (CT)
SCT2750NYTBDKR-ND - Digi-Reel®
Fabricant
Numéro de produit du fabricant
SCT2750NYTB
Description
SICFET N-CH 1700V 5.9A TO268
Référence client
Description détaillée
Canal N 1700 V 5,9 A (Tc) 57W (Tc) Montage en surface TO-268
Fiche technique
 Fiche technique
Attributs du produit
Type
Description
Tout sélectionner
Catégorie
Fabricant
Série
-
Conditionnement
Bande et bobine
Bande coupée (CT)
Digi-Reel®
Statut du composant
Obsolète
Type de FET
Technologies
Tension drain-source (Vdss)
1700 V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.)
18V
Rds On (max.) à Id, Vgs
975mohms à 1,7A, 18V
Vgs(th) (max.) à Id
4V à 630µA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs
17 nC @ 18 V
Vgs (max.)
+22V, -6V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds
275 pF @ 800 V
Fonction FET
-
Dissipation de puissance (max.)
57W (Tc)
Température de fonctionnement
175°C (TJ)
Grade
-
Qualification
-
Type de montage
Montage en surface
Boîtier fournisseur
TO-268
Boîtier
Numéro de produit de base
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Obsolète
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