Name: RUM002N02T2L
Brand: Rohm Semiconductor
SKU: RUM002N02T2LTR-ND
Price: 0.3388 EUR
Availability: InStock

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RUM002N02T2L
Numéro de produit DigiKey	RUM002N02T2LTR-ND - Bande et bobine RUM002N02T2LCT-ND - Bande coupée (CT) RUM002N02T2LDKR-ND - Digi-Reel®
Fabricant	Rohm Semiconductor
Numéro de produit du fabricant	RUM002N02T2L
Description	MOSFET N-CH 20V 200MA VMT3
Délai d'approvisionnement standard du fabricant	21 semaines
Référence client
Description détaillée	Canal N 20 V 200mA (Ta) 150mW (Ta) Montage en surface VMT3
Fiche technique	Fiche technique
Modèles EDA/CAO	RUM002N02T2L Modèles

Attributs du produit

Type	Description	Tout sélectionner
Catégorie	Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET FET, MOSFET simples
Fabricant	Rohm Semiconductor
Série	-
Conditionnement	Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®
Statut du composant	Actif
Type de FET	Canal N
Technologies	MOSFET (oxyde métallique)
Tension drain-source (Vdss)	20 V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C	200mA (Ta)
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.)	1,2V, 2,5V
Rds On (max.) à Id, Vgs	1,2ohms à 200mA, 2,5V
Vgs(th) (max.) à Id	1V à 1mA
Vgs (max.)	±8V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds	25 pF @ 10 V
Fonction FET	-
Dissipation de puissance (max.)	150mW (Ta)
Température de fonctionnement	150°C (TJ)
Grade	-
Qualification	-
Type de montage	Montage en surface
Boîtier fournisseur	VMT3
Boîtier	SOT-723
Numéro de produit de base	RUM002

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