Name: RS6G100BGTB1
Brand: Rohm Semiconductor
SKU: 846-RS6G100BGTB1TR-ND
Price: 2.7225 EUR
Availability: InStock

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RS6G100BGTB1
Numéro de produit DigiKey	846-RS6G100BGTB1TR-ND - Bande et bobine 846-RS6G100BGTB1CT-ND - Bande coupée (CT) 846-RS6G100BGTB1DKR-ND - Digi-Reel®
Fabricant	Rohm Semiconductor
Numéro de produit du fabricant	RS6G100BGTB1
Description	NCH 40V 100A, HSOP8, POWER MOSFE
Délai d'approvisionnement standard du fabricant	18 semaines
Référence client
Description détaillée	Canal N 40 V 100 A (Tc) 3W (Ta), 59W (Tc) Montage en surface 8-HSOP
Fiche technique	Fiche technique

Attributs du produit

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Catégorie Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET FET, MOSFET simples	Vgs(th) (max.) à Id 2,5V à 1mA
Fabricant Rohm Semiconductor	Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 24 nC @ 10 V
Conditionnement Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®	Vgs (max.) ±20V
Statut du composant Actif	Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 1510 pF @ 20 V
Type de FET Canal N	Dissipation de puissance (max.) 3W (Ta), 59W (Tc)
Technologies MOSFET (oxyde métallique)	Température de fonctionnement 150°C (TJ)
Tension drain-source (Vdss) 40 V	Type de montage Montage en surface
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 100 A (Tc)	Boîtier fournisseur 8-HSOP
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) 4,5V, 10V	Boîtier 8-PowerTDFN
Rds On (max.) à Id, Vgs 3,4mohms à 90A, 10V