Name: RS6G100BGTB1
Brand: Rohm Semiconductor
SKU: 846-RS6G100BGTB1TR-ND
Price: 2.5894 EUR
Availability: InStock

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RS6G100BGTB1
cms-digikey-product-number	846-RS6G100BGTB1TR-ND - Bande et bobine 846-RS6G100BGTB1CT-ND - Bande coupée (CT) 846-RS6G100BGTB1DKR-ND - Digi-Reel®
cms-manufacturer	Rohm Semiconductor
cms-manufacturer-product-number	RS6G100BGTB1
cms-description	NCH 40V 100A, HSOP8, POWER MOSFE
cms-standard-lead-time	21 semaines
cms-customer-reference
cms-detailed-description	Canal N 40 V 100 A (Tc) 3W (Ta), 59W (Tc) Montage en surface 8-HSOP
Fiche technique	Fiche technique

cms-product-attributes

cms-type	cms-description	cms-select-all
cms-category	Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET FET, MOSFET simples
Fabricant	Rohm Semiconductor
Série	-
Conditionnement	Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®
Statut du composant	Actif
Type de FET	Canal N
Technologies	MOSFET (oxyde métallique)
Tension drain-source (Vdss)	40 V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C	100 A (Tc)
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.)	4,5V, 10V
Rds On (max.) à Id, Vgs	3,4mohms à 90A, 10V
Vgs(th) (max.) à Id	2,5V à 1mA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs	24 nC @ 10 V
Vgs (max.)	±20V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds	1510 pF @ 20 V
Fonction FET	-
Dissipation de puissance (max.)	3W (Ta), 59W (Tc)
Température de fonctionnement	150°C (TJ)
Grade	-
Qualification	-
Type de montage	Montage en surface
Boîtier fournisseur	8-HSOP
Boîtier	8-PowerTDFN