Name: RS1E260ATTB1
Brand: Rohm Semiconductor
SKU: RS1E260ATTB1TR-ND
Price: 4.3439 EUR
Availability: InStock

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RS1E260ATTB1
Numéro de produit DigiKey	RS1E260ATTB1TR-ND - Bande et bobine RS1E260ATTB1CT-ND - Bande coupée (CT) RS1E260ATTB1DKR-ND - Digi-Reel®
Fabricant	Rohm Semiconductor
Numéro de produit du fabricant	RS1E260ATTB1
Description	MOSFET P-CH 30V 26A/80A 8HSOP
Délai d'approvisionnement standard du fabricant	18 semaines
Référence client
Description détaillée	Canal P 30 V 26 A (Ta), 80 A (Tc) 3W (Ta) Montage en surface 8-HSOP
Fiche technique	Fiche technique
Modèles EDA/CAO	RS1E260ATTB1 Modèles

Attributs du produit

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Catégorie Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET FET, MOSFET simples	Vgs(th) (max.) à Id 2,5V à 1mA
Fabricant Rohm Semiconductor	Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 175 nC @ 10 V
Conditionnement Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®	Vgs (max.) ±20V
Statut du composant Actif	Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 7850 pF @ 15 V
Type de FET Canal P	Dissipation de puissance (max.) 3W (Ta)
Technologies MOSFET (oxyde métallique)	Température de fonctionnement 150°C (TJ)
Tension drain-source (Vdss) 30 V	Type de montage Montage en surface
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 26 A (Ta), 80 A (Tc)	Boîtier fournisseur 8-HSOP
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) 4,5V, 10V	Boîtier 8-PowerTDFN
Rds On (max.) à Id, Vgs 3,1mohms à 26A, 10V	Numéro de produit de base RS1E