Name: RQ6E085BNTCR
Brand: Rohm Semiconductor
SKU: RQ6E085BNTCRTR-ND
Price: 1.5851 EUR
Availability: InStock

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RQ6E085BNTCR
Numéro de produit DigiKey	RQ6E085BNTCRTR-ND - Bande et bobine RQ6E085BNTCRCT-ND - Bande coupée (CT) RQ6E085BNTCRDKR-ND - Digi-Reel®
Fabricant	Rohm Semiconductor
Numéro de produit du fabricant	RQ6E085BNTCR
Description	MOSFET N-CH 30V 8.5A SOT457
Délai d'approvisionnement standard du fabricant	16 semaines
Référence client
Description détaillée	Canal N 30 V 8,5 A (Tc) 1,25W (Tc) Montage en surface TSMT6 (SC-95)
Fiche technique	Fiche technique
Modèles EDA/CAO	RQ6E085BNTCR Modèles

Attributs du produit

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Catégorie Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET FET, MOSFET simples	Vgs(th) (max.) à Id 2,5V à 1mA
Fabricant Rohm Semiconductor	Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 32.7 nC @ 10 V
Conditionnement Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®	Vgs (max.) ±20V
Statut du composant Actif	Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 1350 pF @ 15 V
Type de FET Canal N	Dissipation de puissance (max.) 1,25W (Tc)
Technologies MOSFET (oxyde métallique)	Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
Tension drain-source (Vdss) 30 V	Type de montage Montage en surface
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 8,5 A (Tc)	Boîtier fournisseur TSMT6 (SC-95)
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) 10V	Boîtier SOT-23-6 mince, TSOT-23-6
Rds On (max.) à Id, Vgs 14,4mohms à 8,5A, 10V	Numéro de produit de base RQ6E085

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Documents et supports

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