Name: RQ3E150BNTB
Brand: Rohm Semiconductor
SKU: RQ3E150BNTBTR-ND
Price: 1.0164 EUR
Availability: InStock

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RQ3E150BNTB
Numéro de produit DigiKey	RQ3E150BNTBTR-ND - Bande et bobine RQ3E150BNTBCT-ND - Bande coupée (CT) RQ3E150BNTBDKR-ND - Digi-Reel®
Fabricant	Rohm Semiconductor
Numéro de produit du fabricant	RQ3E150BNTB
Description	MOSFET N-CH 30V 15A 8HSMT
Délai d'approvisionnement standard du fabricant	16 semaines
Référence client
Description détaillée	Canal N 30 V 15 A (Ta), 39 A (Tc) 2W (Ta), 17W (Tc) Montage en surface 8-HSMT (3,2x3)
Fiche technique	Fiche technique
Modèles EDA/CAO	RQ3E150BNTB Modèles

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Catégorie Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET FET, MOSFET simples	Vgs(th) (max.) à Id 2,5V à 1mA
Fabricant Rohm Semiconductor	Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 45 nC @ 10 V
Conditionnement Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®	Vgs (max.) ±20V
Statut du composant Actif	Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 3000 pF @ 15 V
Type de FET Canal N	Dissipation de puissance (max.) 2W (Ta), 17W (Tc)
Technologies MOSFET (oxyde métallique)	Température de fonctionnement 150°C (TJ)
Tension drain-source (Vdss) 30 V	Type de montage Montage en surface
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 15 A (Ta), 39 A (Tc)	Boîtier fournisseur 8-HSMT (3,2x3)
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) 4,5V, 10V	Boîtier 8-PowerVDFN
Rds On (max.) à Id, Vgs 5,3mohms à 15A, 10V	Numéro de produit de base RQ3E150

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Documents et supports

Classifications environnementales et d'exportation

Ressources supplémentaires

Substituts (1)

Numéro de référence	Fabricant	Quantité disponible	Numéro de produit DigiKey	Prix unitaire	Type de substitution
TPH3R003PL,LQ	Toshiba Semiconductor and Storage	3 054	TPH3R003PLLQCT-ND	1,45000 €	Similaire

En stock: 2 599

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Bande coupée (CT) & Digi-Reel®

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Bande et bobine

Conditionnement standard du fabricant

Prix unitaire sans TVA:	0,84000 €
Prix unitaire avec TVA:	1,01640 €

RQ3E150BNTB