Name: RJP020N06T100
Brand: Rohm Semiconductor
SKU: RJP020N06T100TR-ND
Price: 1.5609 EUR
Availability: InStock

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RJP020N06T100
Numéro de produit DigiKey	RJP020N06T100TR-ND - Bande et bobine RJP020N06T100CT-ND - Bande coupée (CT) RJP020N06T100DKR-ND - Digi-Reel®
Fabricant	Rohm Semiconductor
Numéro de produit du fabricant	RJP020N06T100
Description	MOSFET N-CH 60V 2A MPT3
Délai d'approvisionnement standard du fabricant	16 semaines
Référence client
Description détaillée	Canal N 60 V 2 A (Ta) 500mW (Ta) Montage en surface MPT3
Fiche technique	Fiche technique
Modèles EDA/CAO	RJP020N06T100 Modèles

Attributs du produit

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Catégorie Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET FET, MOSFET simples	Vgs(th) (max.) à Id 1,5V à 1mA
Fabricant Rohm Semiconductor	Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 10 nC @ 4 V
Conditionnement Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®	Vgs (max.) ±12V
Statut du composant Actif	Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 160 pF @ 10 V
Type de FET Canal N	Dissipation de puissance (max.) 500mW (Ta)
Technologies MOSFET (oxyde métallique)	Température de fonctionnement 150°C (TJ)
Tension drain-source (Vdss) 60 V	Type de montage Montage en surface
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 2 A (Ta)	Boîtier fournisseur MPT3
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) 2,5V, 4,5V	Boîtier TO-243AA
Rds On (max.) à Id, Vgs 240mohms à 2A, 4,5V	Numéro de produit de base RJP020

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Documents et supports

Classifications environnementales et d'exportation

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Quantité

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