Name: RH7G04CBJFRATCB
Brand: Rohm Semiconductor
SKU: 846-RH7G04CBJFRATCBTR-ND
Price: 2.1901 EUR
Availability: InStock

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RH7G04CBJFRATCB
Numéro de produit DigiKey	846-RH7G04CBJFRATCBTR-ND - Bande et bobine 846-RH7G04CBJFRATCBCT-ND - Bande coupée (CT) 846-RH7G04CBJFRATCBDKR-ND - Digi-Reel®
Fabricant	Rohm Semiconductor
Numéro de produit du fabricant	RH7G04CBJFRATCB
Description	PCH -40V -40A, DFN3333T8LSAB, PO
Délai d'approvisionnement standard du fabricant	16 semaines
Référence client
Description détaillée	Canal P 40 V 40 A (Tc) 62W (Tc) Montage en surface DFN3333T8LSAB
Fiche technique	Fiche technique

Attributs du produit

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Catégorie Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET FET, MOSFET simples	Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 33 nC @ 10 V
Fabricant Rohm Semiconductor	Vgs (max.) +5V, -20V
Conditionnement Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®	Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 1850 pF @ 20 V
Statut du composant Actif	Dissipation de puissance (max.) 62W (Tc)
Type de FET Canal P	Température de fonctionnement 175°C (TJ)
Technologies MOSFET (oxyde métallique)	Grade Automobile
Tension drain-source (Vdss) 40 V	Qualification AEC-Q101
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 40 A (Tc)	Type de montage Montage en surface
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) 4,5V, 10V	Boîtier fournisseur DFN3333T8LSAB
Rds On (max.) à Id, Vgs 17,7mohms à 20A, 10V	Boîtier 8-PowerTDFN
Vgs(th) (max.) à Id 2,5V à 1,3mA