Name: RD3S100AAFRATL
Brand: Rohm Semiconductor
SKU: 846-RD3S100AAFRATLTR-ND
Price: 4.0051 EUR
Availability: InStock

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RD3S100AAFRATL
Numéro de produit DigiKey	846-RD3S100AAFRATLTR-ND - Bande et bobine 846-RD3S100AAFRATLCT-ND - Bande coupée (CT) 846-RD3S100AAFRATLDKR-ND - Digi-Reel®
Fabricant	Rohm Semiconductor
Numéro de produit du fabricant	RD3S100AAFRATL
Description	MOSFET N-CH 190V 10A TO252
Délai d'approvisionnement standard du fabricant	16 semaines
Référence client
Description détaillée	Canal N 190 V 10 A (Tc) 85W (Tc) Montage en surface TO-252
Fiche technique	Fiche technique

Attributs du produit

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Catégorie Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET FET, MOSFET simples	Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 52 nC @ 10 V
Fabricant Rohm Semiconductor	Vgs (max.) ±20V
Conditionnement Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®	Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 2000 pF @ 25 V
Statut du composant Actif	Dissipation de puissance (max.) 85W (Tc)
Type de FET Canal N	Température de fonctionnement 150°C (TJ)
Technologies MOSFET (oxyde métallique)	Grade Automobile
Tension drain-source (Vdss) 190 V	Qualification AEC-Q101
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 10 A (Tc)	Type de montage Montage en surface
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) 4V, 10V	Boîtier fournisseur TO-252
Rds On (max.) à Id, Vgs 182mohms à 5A, 10V	Boîtier TO-252-3, DPAK (2 sorties + languette), SC-63
Vgs(th) (max.) à Id 2,5V à 1mA	Numéro de produit de base RD3S100