Name: RD3L01BATTL1
Brand: Rohm Semiconductor
SKU: 846-RD3L01BATTL1TR-ND
Price: 1.8755 EUR
Availability: InStock

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RD3L01BATTL1
Numéro de produit DigiKey	846-RD3L01BATTL1TR-ND - Bande et bobine 846-RD3L01BATTL1CT-ND - Bande coupée (CT) 846-RD3L01BATTL1DKR-ND - Digi-Reel®
Fabricant	Rohm Semiconductor
Numéro de produit du fabricant	RD3L01BATTL1
Description	PCH -60V -10A POWER MOSFET - RD3
Délai d'approvisionnement standard du fabricant	18 semaines
Référence client
Description détaillée	Canal P 60 V 10 A (Ta) 26W (Ta) Montage en surface TO-252
Fiche technique	Fiche technique
Modèles EDA/CAO	RD3L01BATTL1 Modèles

Attributs du produit

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Catégorie Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET FET, MOSFET simples	Vgs(th) (max.) à Id 2,5V à 1mA
Fabricant Rohm Semiconductor	Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 15.2 nC @ 10 V
Conditionnement Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®	Vgs (max.) ±20V
Statut du composant Actif	Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 1200 pF @ 30 V
Type de FET Canal P	Dissipation de puissance (max.) 26W (Ta)
Technologies MOSFET (oxyde métallique)	Température de fonctionnement 150°C (TJ)
Tension drain-source (Vdss) 60 V	Type de montage Montage en surface
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 10 A (Ta)	Boîtier fournisseur TO-252
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) 4,5V, 10V	Boîtier TO-252-3, DPAK (2 sorties + languette), SC-63
Rds On (max.) à Id, Vgs 84mohms à 10A, 10V	Numéro de produit de base RD3L01

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Documents et supports

Classifications environnementales et d'exportation

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Quantité

Tous les prix sont en EUR

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