Name: RD3H080SPTL1
Brand: Rohm Semiconductor
SKU: RD3H080SPTL1TR-ND
Price: 1.9844 EUR
Availability: InStock

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RD3H080SPTL1
Numéro de produit DigiKey	RD3H080SPTL1TR-ND - Bande et bobine RD3H080SPTL1CT-ND - Bande coupée (CT) RD3H080SPTL1DKR-ND - Digi-Reel®
Fabricant	Rohm Semiconductor
Numéro de produit du fabricant	RD3H080SPTL1
Description	MOSFET P-CH 45V 8A TO252
Délai d'approvisionnement standard du fabricant	18 semaines
Référence client
Description détaillée	Canal P 45 V 8 A (Ta) 15W (Tc) Montage en surface TO-252
Fiche technique	Fiche technique
Modèles EDA/CAO	RD3H080SPTL1 Modèles

Attributs du produit

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Catégorie Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET FET, MOSFET simples	Vgs(th) (max.) à Id 3V à 1mA
Fabricant Rohm Semiconductor	Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 9 nC @ 5 V
Conditionnement Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®	Vgs (max.) ±20V
Statut du composant Actif	Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 1000 pF @ 10 V
Type de FET Canal P	Dissipation de puissance (max.) 15W (Tc)
Technologies MOSFET (oxyde métallique)	Température de fonctionnement 150°C (TJ)
Tension drain-source (Vdss) 45 V	Type de montage Montage en surface
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 8 A (Ta)	Boîtier fournisseur TO-252
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) 4V, 10V	Boîtier TO-252-3, DPAK (2 sorties + languette), SC-63
Rds On (max.) à Id, Vgs 91mohms à 8A, 10V	Numéro de produit de base RD3H080

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Documents et supports

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