Name: R8009KNXC7G
Brand: Rohm Semiconductor
SKU: 846-R8009KNXC7GTR-ND
Price: 5.5902 EUR
Availability: InStock

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R8009KNXC7G
Numéro de produit DigiKey	846-R8009KNXC7GTR-ND - Bande et bobine 846-R8009KNXC7GCT-ND - Bande coupée (CT)
Fabricant	Rohm Semiconductor
Numéro de produit du fabricant	R8009KNXC7G
Description	HIGH-SPEED SWITCHING NCH 800V 9A
Délai d'approvisionnement standard du fabricant	18 semaines
Référence client
Description détaillée	Canal N 800 V 9 A (Ta) 59W (Tc) Trou traversant TO-220FM
Fiche technique	Fiche technique

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Catégorie Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET FET, MOSFET simples	Vgs(th) (max.) à Id 4,5V à 5mA
Fabricant Rohm Semiconductor	Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 27 nC @ 10 V
Conditionnement Bande et bobine Bande coupée (CT)	Vgs (max.) ±20V
Statut du composant Actif	Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 900 pF @ 100 V
Type de FET Canal N	Dissipation de puissance (max.) 59W (Tc)
Technologies MOSFET (oxyde métallique)	Température de fonctionnement 150°C (TJ)
Tension drain-source (Vdss) 800 V	Type de montage Trou traversant
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 9 A (Ta)	Boîtier fournisseur TO-220FM
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) 10V	Boîtier Boîtier complet TO-220-3
Rds On (max.) à Id, Vgs 600mohms à 4,5A, 10V	Numéro de produit de base R8009

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Documents et supports

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Tous les prix sont en EUR

Bande coupée (CT)

Bande et bobine

Conditionnement standard du fabricant

Prix unitaire sans TVA:	4,62000 €
Prix unitaire avec TVA:	5,59020 €

R8009KNXC7G