Name: QS8J2TR
Brand: Rohm Semiconductor
SKU: 846-QS8J2TR-ND
Price: 1.6214 EUR
Availability: InStock

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QS8J2TR
Numéro de produit DigiKey	846-QS8J2TR-ND - Bande et bobine 846-QS8J2CT-ND - Bande coupée (CT) 846-QS8J2DKR-ND - Digi-Reel®
Fabricant	Rohm Semiconductor
Numéro de produit du fabricant	QS8J2TR
Description	MOSFET 2P-CH 12V 4A TSMT8
Délai d'approvisionnement standard du fabricant	16 semaines
Référence client
Description détaillée	MOSFET - Matrices 12V 4A 550mW Montage en surface TSMT8
Fiche technique	Fiche technique

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Catégorie Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET Matrices de FET, MOSFET	Vgs(th) (max.) à Id 1V à 1mA
Fabricant Rohm Semiconductor	Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 20nC à 4,5V
Conditionnement Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®	Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 1940pF à 6V
Statut du composant Actif	Puissance - Max. 550mW
Technologies MOSFET (oxyde métallique)	Température de fonctionnement 150°C (TJ)
Configuration 2 canaux P (double)	Type de montage Montage en surface
Fonction FET Porte de niveau logique, attaque 1,5V	Boîtier 8-SMD, broches plates
Tension drain-source (Vdss) 12V	Boîtier fournisseur TSMT8
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 4A	Numéro de produit de base QS8J2
Rds On (max.) à Id, Vgs 36mohms à 4A, 4,5V

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Quantité

Tous les prix sont en EUR

Bande coupée (CT)

Bande et bobine

Quantité	Prix unitaire	Prix total
3 000	0,36124 €	1 083,72 €

Conditionnement standard du fabricant

Prix unitaire sans TVA:	1,34000 €
Prix unitaire avec TVA:	1,62140 €

QS8J2TR