Name: HS8K1TB
Brand: Rohm Semiconductor
SKU: HS8K1TBTR-ND
Price: 1.4036 EUR
Availability: InStock

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HS8K1TB
Numéro de produit DigiKey	HS8K1TBTR-ND - Bande et bobine HS8K1TBCT-ND - Bande coupée (CT) HS8K1TBDKR-ND - Digi-Reel®
Fabricant	Rohm Semiconductor
Numéro de produit du fabricant	HS8K1TB
Description	MOSFET 2N-CH 30V 10A HSML3030L10
Délai d'approvisionnement standard du fabricant	16 semaines
Référence client
Description détaillée	MOSFET - Matrices 30V 10A (Ta), 11A (Ta) 2W (Ta) Montage en surface HSML3030L10
Fiche technique	Fiche technique

Attributs du produit

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Catégorie Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET Matrices de FET, MOSFET	Vgs(th) (max.) à Id 2,5V à 1mA
Fabricant Rohm Semiconductor	Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 6nC à 10V, 7,4nC à 10V
Conditionnement Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®	Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 348pF à 15V, 429pF à 15V
Statut du composant Actif	Puissance - Max. 2W (Ta)
Technologies MOSFET (oxyde métallique)	Température de fonctionnement 150°C (TJ)
Configuration 2 canaux N (double)	Type de montage Montage en surface
Tension drain-source (Vdss) 30V	Boîtier 8-UDFN plot exposé
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 10A (Ta), 11A (Ta)	Boîtier fournisseur HSML3030L10
Rds On (max.) à Id, Vgs 14,6mohms à 10A, 10V, 11,8mohms à 11A, 10V	Numéro de produit de base HS8K1

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Documents et supports

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Bande coupée (CT) & Digi-Reel®

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