BSM600D12P3G001 est obsolète et n'est plus fabriqué.
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Rohm Semiconductor
En stock: 5
Prix unitaire : 1 029,05000 €
Fiche technique
MOSFET - Matrices 1200V (1,2kV) 600 A (Tc) 2450W (Tc) Montage sur châssis Module
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MOSFET - Matrices 1200V (1,2kV) 600 A (Tc) 2450W (Tc) Montage sur châssis Module
ROHM's SiC Power and Gate Driver Solutions
4th Gen SiC MOSFETs

BSM600D12P3G001

Numéro de produit DigiKey
846-BSM600D12P3G001-ND
Fabricant
Numéro de produit du fabricant
BSM600D12P3G001
Description
MOSFET 2N-CH 1200V 600A MODULE
Référence client
Description détaillée
MOSFET - Matrices 1200V (1,2kV) 600 A (Tc) 2450W (Tc) Montage sur châssis Module
Fiche technique
 Fiche technique
Attributs du produit
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Catégorie
Vgs(th) (max.) à Id
5,6V à 182mA
Fabricant
Rohm Semiconductor
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds
31000pF à 10V
Conditionnement
En vrac
Puissance - Max.
2450W (Tc)
Statut du composant
Obsolète
Température de fonctionnement
-40°C ~ 150°C (TJ)
Technologies
Carbure de silicium (SiC)
Type de montage
Montage sur châssis
Configuration
2 canaux N (demi-pont)
Boîtier
Module
Tension drain-source (Vdss)
1200V (1,2kV)
Boîtier fournisseur
Module
Courant - Drain continu (Id) à 25°C
600 A (Tc)
Numéro de produit de base
Classifications environnementales et d'exportation
Questions et réponses sur les produits
Ressources supplémentaires
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Numéro de référenceFabricant Quantité disponibleNuméro de produit DigiKey Prix unitaire Type de substitution
BSM600D12P4G103Rohm Semiconductor5846-BSM600D12P4G103-ND1 029,05000 €Recommandation fabricant
Obsolète
Ce produit n'est plus fabriqué. Voir Produits de substitution.