BSM300D12P3E005
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BSM300D12P3E005
ROHM's SiC Power and Gate Driver Solutions
4th Gen SiC MOSFETs

BSM300D12P3E005

Numéro de produit DigiKey
846-BSM300D12P3E005-ND
Fabricant
Numéro de produit du fabricant
BSM300D12P3E005
Description
MOSFET 2N-CH 1200V 300A MODULE
Référence client
Description détaillée
MOSFET - Matrices 1200V (1,2kV) 300 A (Tc) 1260W (Tc) Montage sur châssis Module
Fiche technique
 Fiche technique
Attributs du produit
Type
Description
Tout sélectionner
Catégorie
Fabricant
Rohm Semiconductor
Série
-
Conditionnement
En vrac
Statut du composant
Obsolète
Technologies
Carbure de silicium (SiC)
Configuration
2 canaux N (demi-pont)
Fonction FET
-
Tension drain-source (Vdss)
1200V (1,2kV)
Courant - Drain continu (Id) à 25°C
300 A (Tc)
Rds On (max.) à Id, Vgs
-
Vgs(th) (max.) à Id
5,6V à 91mA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs
-
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds
14000pF à 10V
Puissance - Max.
1260W (Tc)
Température de fonctionnement
-40°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage
Montage sur châssis
Boîtier
Module
Boîtier fournisseur
Module
Numéro de produit de base
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11 184,50000 €1 184,50 €
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