SIC Power Module
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SIC Power Module
ROHM 4-pin SiC Power MOSFETs | Digi-Key Daily
ROHM's SiC Power and Gate Driver Solutions

BSM180D12P3C007

Numéro de produit DigiKey
BSM180D12P3C007-ND
Fabricant
Numéro de produit du fabricant
BSM180D12P3C007
Description
MOSFET 2N-CH 1200V 180A MODULE
Délai d'approvisionnement standard du fabricant
22 semaines
Référence client
Description détaillée
MOSFET - Matrices 1200V (1,2kV) 180 A (Tc) 880W Montage en surface Module
Fiche technique
 Fiche technique
Modèles EDA/CAO
BSM180D12P3C007 Modèles
Attributs du produit
Type
Description
Tout sélectionner
Catégorie
Fabricant
Rohm Semiconductor
Série
-
Conditionnement
En vrac
Statut du composant
Actif
Technologies
Carbure de silicium (SiC)
Configuration
2 canaux N (double)
Fonction FET
-
Tension drain-source (Vdss)
1200V (1,2kV)
Courant - Drain continu (Id) à 25°C
180 A (Tc)
Rds On (max.) à Id, Vgs
-
Vgs(th) (max.) à Id
5,6V à 50mA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs
-
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds
900pF à 10V
Puissance - Max.
880W
Température de fonctionnement
175°C (TJ)
Type de montage
Montage en surface
Boîtier
Module
Boîtier fournisseur
Module
Numéro de produit de base
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