BR25G1MFJ-3GE2 Rohm Semiconductor | Mémoire

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BR25G1MFJ-3GE2
Numéro de produit DigiKey	BR25G1MFJ-3GE2TR-ND - Bande et bobine BR25G1MFJ-3GE2CT-ND - Bande coupée (CT) BR25G1MFJ-3GE2DKR-ND - Digi-Reel®
Fabricant	Rohm Semiconductor
Numéro de produit du fabricant	BR25G1MFJ-3GE2
Description	IC EEPROM 1MBIT SPI 10MHZ 8SOPJ
Référence client
Description détaillée	EEPROM Mémoire IC 1Mb SPI 10 MHz 8-SOP-J
Fiche technique	Fiche technique
Modèles EDA/CAO	BR25G1MFJ-3GE2 Modèles

Attributs du produit

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Catégorie Circuits intégrés Mémoire Mémoire	Interface mémoire SPI
Fabricant Rohm Semiconductor	Fréquence d'horloge 10 MHz
Conditionnement Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®	Temps de cycle d'écriture - Mot, page 5ms
Statut du composant Obsolète	Tension - Alimentation 1,8V ~ 5,5V
Programmable DigiKey Non vérifié	Température de fonctionnement -40°C ~ 85°C (TA)
Type de mémoire Non volatile	Type de montage Montage en surface
Format mémoire EEPROM	Boîtier 8-SOIC (szerokość 0,154po, 3,90mm)
Technologies EEPROM	Boîtier fournisseur 8-SOP-J
Taille mémoire 1Mb	Numéro de produit de base BR25G1
Organisation de la mémoire 128K x 8

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Documents et supports

Classifications environnementales et d'exportation

Ressources supplémentaires

Substituts (1)

Numéro de référence	Fabricant	Quantité disponible	Numéro de produit DigiKey	Prix unitaire	Type de substitution
BR25G1MFJ-5AE2	Rohm Semiconductor	2 408	846-BR25G1MFJ-5AE2CT-ND	1,67000 €	Recommandation fabricant

En stock: 1 643

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Quantité

Tous les prix sont en EUR

Bande coupée (CT)

Prix unitaire sans TVA:	2,41000 €
Prix unitaire avec TVA:	2,91610 €

BR25G1MFJ-3GE2