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SPW20N60CFDFKSA1 | |
|---|---|
Numéro de produit DigiKey | SPW20N60CFDFKSA1-ND |
Fabricant | |
Numéro de produit du fabricant | SPW20N60CFDFKSA1 |
Description | MOSFET N-CH 650V 20.7A TO247-3 |
Référence client | |
Description détaillée | Canal N 650 V 20,7 A (Tc) 208W (Tc) Trou traversant PG-TO247-3-1 |
Fiche technique | Fiche technique |
Modèles EDA/CAO | SPW20N60CFDFKSA1 Modèles |
Attributs du produit
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Catégorie | Vgs(th) (max.) à Id 5V à 1mA |
Fabricant | Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 124 nC @ 10 V |
Série | Vgs (max.) ±20V |
Conditionnement Tube | Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 2400 pF @ 25 V |
Statut du composant Date de dernière disponibilité | Dissipation de puissance (max.) 208W (Tc) |
Type de FET | Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ) |
Technologies | Type de montage Trou traversant |
Tension drain-source (Vdss) 650 V | Boîtier fournisseur PG-TO247-3-1 |
Courant - Drain continu (Id) à 25°C | Boîtier |
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) 10V | Numéro de produit de base |
Rds On (max.) à Id, Vgs 220mohms à 13,1A, 10V |
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Substituts (6)
| Numéro de référence | Fabricant | Quantité disponible | Numéro de produit DigiKey | Prix unitaire | Type de substitution |
|---|---|---|---|---|---|
| IPW60R180P7XKSA1 | Infineon Technologies | 0 | IPW60R180P7XKSA1-ND | 3,29000 € | Recommandation fabricant |
| IXFH22N60P | IXYS | 0 | IXFH22N60P-ND | 4,90793 € | Similaire |
| IXFH30N60P | IXYS | 294 | IXFH30N60P-ND | 11,52000 € | Similaire |
| IXTH30N60P | IXYS | 301 | IXTH30N60P-ND | 11,47000 € | Similaire |
| SIHG22N65E-GE3 | Vishay Siliconix | 0 | SIHG22N65E-GE3-ND | 2,47372 € | Similaire |
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Dernière disponibilité
Stock de la marketplace : 360 Afficher
Date de dernière disponibilité : 30/09/2026
Quantité
Tous les prix sont en EUR
Tube
| Quantité | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 240 | 2,37292 € | 569,50 € |
| Prix unitaire sans TVA: | 2,37292 € |
|---|---|
| Prix unitaire avec TVA: | 2,87123 € |
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