IPA70R750P7SXKSA1 Infineon Technologies | FET, MOSFET simples

IPA70R750P7SXKSA1 est obsolète et n'est plus fabriqué.

Substituts disponibles:

Similaire

IXYS

En stock: 24

Prix unitaire : 4,33000 €

Similaire

STMicroelectronics

En stock: 183

Prix unitaire : 3,39000 €

L'image montrée ici est une simple représentation. Consultez la fiche technique pour obtenir les spécifications exactes de ce produit.

IPA70R750P7SXKSA1
Numéro de produit DigiKey	IPA70R750P7SXKSA1-ND
Fabricant	Infineon Technologies
Numéro de produit du fabricant	IPA70R750P7SXKSA1
Description	MOSFET N-CH 700V 6.5A TO220
Référence client
Description détaillée	Canal N 700 V 6,5 A (Tc) 21,2W (Tc) Trou traversant PG-TO220-FP
Fiche technique	Fiche technique
Modèles EDA/CAO	IPA70R750P7SXKSA1 Modèles

Attributs du produit

Filtrer les produits similaires

Afficher les attributs vides

Catégorie Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET FET, MOSFET simples	Vgs(th) (max.) à Id 3,5V à 70µA
Fabricant Infineon Technologies	Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 8.3 nC @ 400 V
Série CoolMOS™ P7	Vgs (max.) ±16V
Conditionnement Tube	Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 306 pF @ 400 V
Statut du composant Obsolète	Dissipation de puissance (max.) 21,2W (Tc)
Type de FET Canal N	Température de fonctionnement -40°C ~ 150°C (TJ)
Technologies MOSFET (oxyde métallique)	Type de montage Trou traversant
Tension drain-source (Vdss) 700 V	Boîtier fournisseur PG-TO220-FP
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 6,5 A (Tc)	Boîtier Boîtier complet TO-220-3
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) 10V	Numéro de produit de base IPA70R750
Rds On (max.) à Id, Vgs 750mohms à 1,4A, 10V