Name: TP70H300G4LSG-TR
Brand: Renesas Electronics Corporation
SKU: 1707-TP70H300G4LSG-TR-ND
Price: 2.8435 EUR
Availability: InStock

Nouveau produit

Canal N 700 V 8 A (Tc) 31,2W (Tc) Montage en surface 3-PQFN (8x8)

L'image montrée ici est une simple représentation. Consultez la fiche technique pour obtenir les spécifications exactes de ce produit.

TP70H300G4LSG-TR
Numéro de produit DigiKey	1707-TP70H300G4LSG-TR-ND - Bande et bobine 1707-TP70H300G4LSG-TRCT-ND - Bande coupée (CT) 1707-TP70H300G4LSG-TRDKR-ND - Digi-Reel®
Fabricant	Renesas Electronics Corporation
Numéro de produit du fabricant	TP70H300G4LSG-TR
Description	GANFET N-CH 650V 6.5A 3PQFN
Délai d'approvisionnement standard du fabricant	6 semaines
Référence client
Description détaillée	Canal N 700 V 8 A (Tc) 31,2W (Tc) Montage en surface 3-PQFN (8x8)
Fiche technique	Fiche technique

Attributs du produit

Filtrer les produits similaires

Afficher les attributs vides

Catégorie Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET FET, MOSFET simples	Rds On (max.) à Id, Vgs 312mohms à 5A, 6V
Fabricant Renesas Electronics Corporation	Vgs(th) (max.) à Id 2,5V à 500µA
Série SuperGaN®	Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 5.4 nC @ 6 V
Conditionnement Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®	Vgs (max.) ±20V
Statut du composant Actif	Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 487 pF @ 400 V
Type de FET Canal N	Dissipation de puissance (max.) 31,2W (Tc)
Technologies GaNFET (nitrure de gallium)	Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
Tension drain-source (Vdss) 700 V	Type de montage Montage en surface
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 8 A (Tc)	Boîtier fournisseur 3-PQFN (8x8)
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) 6V	Boîtier 3-PowerTDFN