Name: TP65H150G4LSG
Brand: Renesas Electronics Corporation
SKU: 1707-TP65H150G4LSG-ND
Price: 5.203 EUR
Availability: InStock

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TP65H150G4LSG
Numéro de produit DigiKey	1707-TP65H150G4LSG-ND - Bande et bobine 1707-TP65H150G4LSGCT-ND - Bande coupée (CT) 1707-TP65H150G4LSGDKR-ND - Digi-Reel®
Fabricant	Renesas Electronics Corporation
Numéro de produit du fabricant	TP65H150G4LSG
Description	GAN FET N-CH 650V PQFN
Délai d'approvisionnement standard du fabricant	16 semaines
Référence client
Description détaillée	Canal N 650 V 13 A (Tc) 52W (Tc) Montage en surface 3-PQFN (8x8)
Fiche technique	Fiche technique
Modèles EDA/CAO	TP65H150G4LSG Modèles

Attributs du produit

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Catégorie Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET FET, MOSFET simples	Vgs(th) (max.) à Id 4,8V à 500µA
Fabricant Renesas Electronics Corporation	Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 8 nC @ 10 V
Conditionnement Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®	Vgs (max.) ±20V
Statut du composant Actif	Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 598 pF @ 400 V
Type de FET Canal N	Dissipation de puissance (max.) 52W (Tc)
Technologies GaNFET (nitrure de gallium)	Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
Tension drain-source (Vdss) 650 V	Type de montage Montage en surface
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 13 A (Tc)	Boîtier fournisseur 3-PQFN (8x8)
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) 10V	Boîtier 3-PowerTDFN
Rds On (max.) à Id, Vgs 180mohms à 8,5A, 10V	Numéro de produit de base TP65H150