Name: 2SJ162-E
Brand: Renesas Electronics Corporation
SKU: 2SJ162-E-ND
Price: 9.7768 EUR
Availability: OutOfStock

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2SJ162-E
Numéro de produit DigiKey	2SJ162-E-ND
Fabricant	Renesas Electronics Corporation
Numéro de produit du fabricant	2SJ162-E
Description	MOSFET P-CH 160V 7A TO3P
Référence client
Description détaillée	Canal P 160 V 7 A (Ta) 100W (Tc) Trou traversant TO-3P
Fiche technique	Fiche technique
Modèles EDA/CAO	2SJ162-E Modèles

Attributs du produit

Type	Description	Tout sélectionner
Catégorie	Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET FET, MOSFET simples
Fabricant	Renesas Electronics Corporation
Série	-
Conditionnement	Tube
Statut du composant	Date de dernière disponibilité
Type de FET	Canal P
Technologies	MOSFET (oxyde métallique)
Tension drain-source (Vdss)	160 V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C	7 A (Ta)
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.)	10V
Rds On (max.) à Id, Vgs	-
Vgs(th) (max.) à Id	-
Vgs (max.)	±15V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds	900 pF @ 10 V
Fonction FET	-
Dissipation de puissance (max.)	100W (Tc)
Température de fonctionnement	150°C (TJ)
Grade	-
Qualification	-
Type de montage	Trou traversant
Boîtier fournisseur	TO-3P
Boîtier	TO-3P-3, SC-65-3

Questions et réponses sur les produits

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Dernière disponibilité

Date de dernière disponibilité : 31/03/2026

Quantité

Tous les prix sont en EUR

Tube

Quantité	Prix unitaire	Prix total
1	8,08000 €	8,08 €
10	5,53800 €	55,38 €
100	4,10290 €	410,29 €
500	3,63834 €	1 819,17 €

Conditionnement standard du fabricant

Note : En raison des services à valeur ajoutée de DigiKey, le type de conditionnement peut varier lorsque le produit est acheté à des quantités inférieures au conditionnement standard.