QS1700SCM8 Quest Semi | Produits semi-conducteurs discrets

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QS1700SCM8
Numéro de produit DigiKey	5403-QS1700SCM8-ND
Fabricant	Quest Semi
Numéro de produit du fabricant	QS1700SCM8
Description	1700v 8AMP SiC Mosfet
Référence client
Description détaillée	Canal N 1700 V 8A 88W Trou traversant PG-TO247-3
Fiche technique	Fiche technique

Attributs du produit

Type	Description	Tout sélectionner
Catégorie	Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET FET, MOSFET simples
Fabricant	Quest Semi
Série	-
Conditionnement	Tube
Statut du composant	Actif
Type de FET	Canal N
Technologies	SiCFET (carbure de silicium)
Tension drain-source (Vdss)	1700 V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C	8A
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.)	20V
Rds On (max.) à Id, Vgs	100mohms à 2A, 20V
Vgs(th) (max.) à Id	4V à 10mA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs	16 nC @ 1200 V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds	142 pF @ 1000 V
Dissipation de puissance (max.)	88W
Température de fonctionnement	-55°C ~ 175°C
Grade	Automobile
Qualification	-
Type de montage	Trou traversant
Boîtier fournisseur	PG-TO247-3
Boîtier	TO-247-3